力旺电子NeoFuse硅智财于台积公司10奈米FinFET制程验证成功

Nov. 18, 2016, Nov. 18, 2016 – 

【新竹讯】逻辑非挥发性内存 (Logic-Based Non-Volatile Memory，Logic NVM) 硅智财领导厂商力旺电子今日宣布，其具安全特征的NeoFuse硅智财已成功在台积公司10奈米鳍式晶体管(FinFET)制程完成验证，采用硅智财所需的相关套件亦已可供客户产品导入。

在先进制程中，高阶芯片对安全性的考虑使得Logic NVM硅智财具备不被攻击的特性更为重要，为了达到此目的，力旺电子于台积公司10奈米FinFET制程验证的NeoFuse硅智财具备多种安全防护的特性以防止被故障植入(Fault Injection)、数据窜改(Data Tampering)、边信道攻击(Side Channel Attack)等方式攻击。另外，读取电压范围允许超过百分之二十的变动弹性使客户在设计上更为灵活，也更能节省功耗。

NeoFuse硅智财在16奈米精简型FinFET(16nm FinFET Compact，16FFC)制程与10奈米FinFET制程的验证将分别于2017年初与下半年完成。力旺电子除了在台积公司的尖端平台广泛布建Logic NVM解决方案外，更致力在超低功耗(ULP)、CMOS影像感测组件(CIS)、嵌入式闪存(eFlash)、高压(HV)、功率集成电路制程整合技术(BCD)等各式特殊制程平台开发NeoFuse技术。迄今，力旺电子的NeoFuse技术已在全世界70个制程平台中被采用，其中27个已成功取得验证。

过去十三年来，力旺电子的硅智财已成功布建在台积公司多项技术平台中，展望未来，力旺电子将与台积公司保持更加紧密的合作关系，发展更多可应用于台积公司各制程平台之硅智财。

关于力旺电子：

力旺电子(股票代码: 3529)成立于2000年8月，专注于逻辑工艺嵌入式非挥发性内存硅智财开发。自成立迄今，力旺电子投入研发自有创新技术，开发出NeoBit(一次性与多次性读写编程组件)、NeoFuse(一次性与多次性读写编程组件)、NeoMTP(一千次以上重复读写编程组件)、NeoFlash(一万次以上重复读写编程组件)、NeoEE(十万次以上重复读写编程组件)等领先性产品，并持续发展先进技术，致力于提供客户广泛的硅智财技术服务、非挥发性内存组件与嵌入式内存应用等，为全方位之嵌入式非挥发性内存硅智财供货商。如需取得更多力旺相关资料，请参见官方网站：www.ememory.com.tw。

新闻联系：

力旺电子公共关系部-王民权

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