使用DesignWare逻辑库和嵌入式存储器以获得16FFC SOC最佳PPA

Synopsys，产品市场营销经理，Ken Brock, Feb. 28, 2017 – 

TSMC最近宣布其第四代主要16纳米工艺，即16FFC（16纳米FinFET紧凑版）, 进入批量生产。该工艺提供了一种简单的从28纳米工艺进行转移的方式，它具有优异的性能、功耗和面积方面的优点。为了在该工艺上开发最具竞争力的片上系统（SOC），设计人员必须选择优化的基础IP构件（嵌入式存储器和标准单元库），以实现最高的SOC性能，以及最低的功耗和面积。通过将16FFC工艺和正确基础IP组合，设计人员能够为多种应用开发SOC，从高端绿色服务器和网络处理器到超低功耗移动装置、消费产品、可穿戴产品，以及介于中间的任何产品。

在本文中，介绍了设计人员可采取的七种方式，采用它们，设计人员能够利用这一新工艺的优点，以及最先进的逻辑库和存储器编译器技术，对其SOC的性能、功耗和面积进行优化。

1. 与28纳米技术相比，利用16纳米技术的摩尔定律缩小比例，设计人员能够改善SOC的面积。
2. FinFET提供了较高的每单位面积饱和电流，这意味着可以通过不同的电路拓扑来改善性能，从而使用较小的逻辑单元来收敛关键定时路径。
3. 与28纳米相比，FinFET的漏电流更低，但是，由于fin的输入电容增加，消耗的动态功耗相对较高。
4. 标准单元架构能够利用创新的工艺技术（continuous poly），借助于使用与逻辑库共同优化的物理设计工具，产生最密集的布图，以节省面积和功耗。
5. 布线性好的高扇入标准单元，和具有多种延迟时间、多种建立时间和多位触发器（MBFF）的时序单元，使得设计人员能够优化其处理器核的性能和功耗。
6. 具有多种位元、多种外围VT和创新的功耗管理特性的多种存储器编译器。
7. 将创新的工艺技术、库设计能力、最新的EDA工具创新和流程结合在一起，SOC设计人员能够利用自己的设计技能，开发出具有最高性能、最低硅片成本和最低功耗的设计。
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