三星计划2020年推出4nm工艺和第二代FD-SOI


在未来三年内,也就是 2017 年至 2020 年之间,三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术...

EETimes China, May. 26, 2017 – 

根据EETimes美国报导,日前积极宣布准备拆分晶圆制造事业,并期望能在市场上一举超越台积电的韩国三星,24 日举办了记者说明会,现场公布了旗下最新的工艺技术路线图。根据规划,在新的路线图中,三星希望能够在 2020 年推出 4 nm工艺技术,与届时将推出 5 纳米工艺的台积电一较高下。

报导中指出,根据三星的计划,在未来三年内,也就是 2017 年至 2020 年之间,三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术,2018 年量产 7 nm工艺技术,2019 年则陆续研发 6 nm以及 5 nm工艺,时程再推进到 2020 年之际,三星希望直接将MBCFET技术投入到其4nm低功耗(LPP)工艺中。

从现在到2020年之间,三星计划在今年投产8nm LPP工艺,明年则是一个采用EUV 的7nm LPP工艺,并于2019年推出5nm和6nm LPP工艺。

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