彻底碾压Intel!三星8/7/6/5/4nm工艺齐登场


Cadence Tensilica 社区, Jun. 05, 2017 – 曾经,先进的半导体制造工艺是Intel最为自豪的地方,Intel也不止一次在公开场合高调宣称,领先的工艺是其面对竞争时的制胜法宝。

但是这几年,Intel工艺陷入了停滞不前的底部,而台积电、三星两家却衔枚疾进、你追我赶。虽然说移动SoC的工艺和高性能桌面服务器CPU不完全相同,但是Intel面对的压力可想而知。

而且,这种压力越来越大。

三星对未来工艺路线图进行了全方位展望,8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、还有18nm FD-SOI悉数亮相。

8LPP (8nm Low Power Plus)

EVU极紫外光刻技术应用前的最后一代,将现有技术潜力彻底挖掘干净,再结合来自10nm的基数创新,可在性能、集成密度等方面超越10LPP。

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星将在8nm工艺上首次启用EVU极紫外光刻,与ASML合作研发,源功率最大达到250W,这也是EUV能够投入商业量产的关键里程碑,可向前大大推进摩尔定律。

三星称,EUV技术可以将三星的晶圆产能提高50%,达到每月1500片。

6LPP (6nm Low Power Plus)

在前代7LPP、EUV的基础上,应用三星独特的Smart Scaling方案,可以大大缩小芯片面积,带来超低功耗。

5LPP (5nm Low Power Plus)

FinFET立体晶体管的终极之作,并会汲取4nm工艺的部分技术。

4LPP (4nm Low Power Plus)

第一次使用全新的MBCFETTM(多桥接通道场效应晶体管)结构,基于三星特有的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,借助Nanosheet设备克服FinFET技术的物理局限。

预计2020年投入风险性试产。

FD-SOI (Fully Depleted - Silicon on Insulator)

面向IoT物联网应用,在前代28nm FD-SOI技术的基础上,集成RF、eMRAM,打造新一代18nm FD-SOI,获得更好的功耗、性能和面积表现。

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