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力旺晶片指紋IP已於聯電高階製程平台完成驗證


台灣新竹訊, Jul. 28, 2017 – 

【新竹訊】力旺電子今日宣布,該公司最新晶片指紋IP 「NeoPUF」已成功布建至聯電的高階製程平台。這項IP是利用每顆晶片獨一無二的物理特徵發展而出,非常適合應用於物聯網及資料中心等高安全需求領域的硬體保護。

力旺表示,NeoPUF已完成聯電的28奈米 HPC+製程平台的設計定案 (tape out)。另外,這項IP也已經獲得聯電55奈米ULP平台的驗證(verification),聯電55奈米ULP eFlash平台的驗證預期也將於近期完成。

晶片資安日益受到重視,而物理性不可複製功能(Physical Unclonable Functions,PUF)因具有「獨一無二」且「無法預測」的特點,近年來則廣泛被用於各種安全應用領域。晶片製造過程中,難免會產生一些細微的差異,這些製程變異會造成晶片表面的物理變化,就形成所謂的「晶片指紋」。

晶片指紋是每顆晶片獨一無二、無法複製的ID,可作為硬體的安全信任根(root of trust)。在嵌入NeoPUF後,晶片本身將獲得最根本的保護;物聯網裝置也能透過有使用NeoPUF IP的晶片,取得獨一無二的ID,確保從製造生產到啟用,乃至長期運作等各個階段的安全性。

力旺的NeoPUF技術取自CMOS標準邏輯元件,可廣泛用於各種邏輯製程,而且不需要昂貴的錯誤校正措施 (Error Correction)。在實際應用上,NeoPUF IP可被用於設計成安全認證、加密及安全金鑰等各種安全功能。

力旺和聯電這次合作將使得客戶可在聯電的製程平台上採用NeoPUF IP,藉此在產品設計中加入安全元件,因應物聯網蓬勃發展市場對晶片資安之需求。

聯華電子的矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示:「力旺的NeoPUF IP是有助於我們的客戶因應物聯網等資安市場需求,頗受歡迎的一個資源。我們對於這項IP合作的結果感到十分滿意,且此IP將能嘉惠聯電的客戶于28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台採用NeoPUF,解決高性能和超低功耗要求的物聯網應用解決方案。」

力旺業務發展處副總經理何明洲表示:「NeoPUF可以提供客戶全面的安全保護及競爭優勢,我們很高興與聯電合作,將這項IP布建至28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台。」

PUF過去常用於政府及軍方資料中心這類安全要求極高的領域,現在也漸漸被用於物聯網及民間資料中心的硬體保護。

傳統PUF安全解決方案常因技術不夠穩定,必須要靠錯誤校正彌補PUF結果的穩定性,但也因此增加不少成本。力旺的NeoPUF透過創新技術可以解決這個問題,更具經濟效益。NeoPUF的PUF結果經測試證明能在-40 C到+125 C之間,甚至超過125 C,均呈現相當穩定的表現。

此外,NeoPUF能從晶片製程變異衍生的IC物理特徵淬取出高達1024 kbits的隨機亂碼,作為加密及產生安全金鑰之用。使用者可以在此龐大的隨機亂碼中,彈性選擇他們產生金鑰的方式。

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