HiSilicon采用DesignWare® Foundation IP实现7纳米 FinFET SoC一次流片成功

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我们依赖 DesignWare STAR Hierarchical System的测量单元满足我们首个7纳米测试芯片的关键工艺和时钟监控要求， 并且实现高度精确的结果

Oct. 30, 2017, Oct. 30, 2017 – 

HiSilicon是一家全球无晶圆厂半导体和IC设计公司，致力于开发综合的互连和多媒体芯片组解决方案。作为技术领导者，海思为端到端全球网络和超高清视频技术的创新铺平了道路。

HiSilicon与业内领先的技术公司和研究机构合作，始终处于最先进工艺节点的发展前沿。为了实现7纳米工艺的技术目标，海思需要一家经过验证的IP供应商为其提供嵌入式存储器、存储器测试和分层测试解决方案。最关键的是，海思的7纳米测试芯片需要满足严格的PLL时序要求，因此高度精确的PLL测量解决方案必不可少。

在确定了foundation IP和测试需求后，海思评估了可用的解决方案，最终选择了DesignWare嵌入式存储器，集成式STAR Memory System和具有测量单元的STAR Hierarchical System，这是因为他们在使用DesignWare IP方面已经积累了良好的经验。HiSilicon DFT工程师Spark Zhang说："我们在工具和IP方面与新思科技已合作多年，因此，我们很自然地再次选择新思科技，以保证我们的7纳米测试芯片的成功。新思科技推出了全面的高质量Foundation IP系列，为我们的首款7纳米SoC提供了低风险的选项。"

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